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容量翻倍 三星量产单条128GB DDR4内存

2018-01-23 10:05:11    来源:互联网    

北京时间11月26日消息,去年8月底,,三星宣布推出全球第一款采用3D TSV立体硅穿孔封装技术打造的单条容量高达64GB的DDR4内存条。一年多后,三星将容量翻倍,开始量产128GB DDR4内存条。

容量翻倍 三星量产单条128GB DDR4内存


单条128GB DDR4内存(图片来自mydrivers)

128GB DDR4内存条采用的是三星最先进的20nm制造工艺,起步频率为2400MHz,接下来将逐步提升到2667MHz、3200MHz。另外,三星还会把TSV硅穿孔技术应用到HBM高带宽内存中。

需要说明的是,新内存依然是面向企业级服务器市场的RDIMM类型条子,使用了多达144颗DDR4内芯片,每一颗容量8Gb(1GB),然后每四颗芯片利用TSV技术紧密封装在一起,总计36个组,分布在内存条两侧。

news.zol.com.cn true 中关村在线 report 570 北京时间11月26日消息,去年8月底,三星宣布推出全球第一款采用3D TSV立体硅穿孔封装技术打造的单条容量高达64GB的DDR4内存条。一年多后,三星将容量翻倍,开始量产128GB DDR4内存条。单条128GB DDR4内存(图片来自mydrivers)128GB DDR4内存条采用...

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