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DRAM flash迎来新变革?看看美光怎么说

2019-05-28 13:00:25    来源:互联网    

美光作为全球前五的DRAM和NAND Flash芯片供应商,在最新的2019年Q2财季中,美光DRAM业务大约占整体营收的64%,NAND Flash营收大约占了30%。

5月23日,在美光投资者大会上,美光展示了其对NAND Flash和DRAM产业的看法,以及美光下一代技术的发展以及规划。美光认为,DRAM产业面临三大挑战:第一,Wafer Gb当量显著增长的挑战;第二,技术转换节点所出现的成本与最终的收益挑战;第三,资本支出的强度持续增加。

DRAM flash迎来新变革?看看美光怎么说

在DRAM方面,美光将持续推进1Znm DRAM技术,将基于该先进技术推出16Gb LPDDR4。在1Znm技术之后,向下发展还有1α、1β、1γ,在从1Znm到1γ技术的过程中,美光将持续评估EUV工艺DRAM的成本效益,在合适的时候用上EUV。

在NAND方面,美光3D技术已经历了三代,目前是第三代96层3D NAND,下一代将向128层3D NAND发展,是64+64层的结构。为了使NAND Flash在性能、容量、尺寸等方面持续发挥其优势,美光在128层3D NAND技术将从Floating Gate浮栅向栅极技术(Replacement Gate)过渡,并继续使用阵列下的CMOS架构。

美光表示,NAND Flash技术从2D向3D发展,驱动Wafer GB量大幅度增加,64层3D NAND技术之后,也就是下一代128层3D NAND技术,主要聚焦在RG((Replacement Gate))技术的过渡,NAND Flash容量增加和成本降低的速度放缓。

itcn本文来源:互联网  作者:ITCN
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