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淘汰NAND闪存?英特尔MRAM已准备投产

2019-04-01 08:15:10    来源:互联网    

说到MRAM大家可能不太熟悉,这是一种非易失性(Non-Volatile)的磁性随机存储器,与NAND闪存相比,MRAM能够达到1ns的稳定时间,并且高于目前公认的DRAM理论限制,拥有更高的写入速度,可怕的是MRAM还拥有接近无限次写入的性质。

据外媒报道,英特尔的MRAM已准备好在大批量生产中投入生产了,采用的是22纳米工艺。

淘汰NAND闪存?英特尔MRAM已准备投产

据悉,英特尔工程师LigiongWei称,MRAM在其目前的生产特点下,能够在200°C下高温下保存10年的数据,并能承受超过10^6个切换周期。而且除了高耐久性外,22纳米嵌入式的MRAM技术的比特率超过了99.9%,这种相对保密的技术来说相当可怕。

点评:MRAM作为DRAM和NAND闪存的有力替代者,目前还略显青涩,在商用市场上没个一两年很难见到,但可以预料的是这个技术相当厉害,也许具有打造新型计算机和设备的潜力(整合内存和硬盘?)。

itcn本文来源:互联网  作者:ITCN
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