首页 > 固态硬盘 > 新闻 > 正文

发力QLC?英特尔明年将推128层NAND

2019-07-12 16:00:36    来源:互联网    

Intel在今年的亚太研发中心媒体会议上,单独介绍了他们在NAND闪存上的最新进展,在存储产品中,Intel的构想是未来HDD机械硬盘在热数据上会被QLC闪存硬盘取代,其主要作用是作为大容量数据备份之用。

发力QLC?英特尔明年将推128层NAND

3D QLC

英特尔认为,TLC闪存也会被取代,QLC未来是要担大任的,并且表示他们的技术已经做到了让QLC闪存的电压控制跟TLC闪存一个级别,所以在使用寿命方面并不用过多担忧。

此外,Intel还提到在NAND闪存上他们起步要落后于三星等公司,但在3D NAND闪存时代追上来了,QLC闪存直接使用了64层堆栈,单核心容量就有1024Gb,预计2020年则会推出128层堆栈的QLC闪存。

itcn本文来源:互联网  作者:ITCN

©2018 意见反馈|网站地图|| 京ICP备15005947号